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IRF7523D1PbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+
+
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
-
+
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by Duty Factor "D"
? D.U.T. - Device Under Test
* Reverse Polarity for P-Channel
** Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements
+
-
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
V GS =10V
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
V DD
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple  ≤  5%
Forward Drop
I SD
*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 17 For N Channel HEXFETS
8
www.irf.com
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